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安森美半導體發布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

2021-02-18 12:51:26 來源:安森美半導體
2021年2月18日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,適用于功率密度、能效和可靠性攸關的高要求應用。設計人員用新的SiC器件取代現有的硅開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、服務器電源(PSU)、電信和不間斷電源(UPS)等應用中實現顯著更好的性能。
 
 
安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料,提供比硅更勝一籌的開關性能和更好的熱性能,因而提高系統級能效、功率密度,及減小電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。
 
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝,具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。 這技術還優化能量損失品質因數,從而優化了汽車和工業應用中的性能。 內置門極電阻 (Rg)為設計人員提供更大的靈活性,而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強耐用性,從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。
 
安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani在發布新品時說:“在現代電源應用中,如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業計算及電信等其他應用, 高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關技術顯著提高性能,使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。 增強的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。”
 
新器件均為表面貼裝,并提供行業標準封裝類型,包括TO247和D2PAK。
 
更多資源及文檔:
登陸頁:寬禁帶方案
產品頁:650 V SiC MOSFET
 
關于安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力于推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案,提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,一套強有力的守法和道德規范計劃,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn
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