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臺積電3納米制程進度提前

2021-02-19 14:48:08 來源:MoneyDJ
臺積電董事長劉德音近日于《2021年國際固態電路會議(ISSCC 2021)》開場線上專題演說時表示,臺積電3納米制程依照計劃時程發展,甚至比預期進度超前了一些,有信心包括3納米及未來主要制程節點將如期推出并進入生產。

劉德音在「釋放創新未來(Unleash the Future of Innovation)」的演說主題中指出,半導體制程微縮的腳步并未減緩,集成電路的功耗、性能及晶體管密度仍持續進步,臺積電的3納米比預期進度超前,至于2納米之后的晶體管架構將轉向環繞閘極(GAA)的納米薄片(nano-sheet)架構。

劉德音也指出,藉由紫外光微影(EUV)技術,產業界已打破前一代微影技術的尺寸限制,但產量仍是一個問題;EUV 可使用較少層數的光罩,使成本達到理想的水準,但EUV 功耗極大,為此,臺積電已取得350W 照明光源技術突破,將可支援5納米量產甚至到1納米節點。

在材料技術革新方面,劉德音指出,材料的創新將推動芯片技術持續向前邁進,低維度材料包括六方氮化硼(hBN)等2D 材料,已接近實現量產;臺積電已與臺灣地區學界團隊合作,成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼,成果并已獲刊于國際學術期刊《Nature》;而低溫制程則將實現晶圓級的邏輯與存儲器活性層(active layer)堆疊,打造真正的3D IC;此外,他也強調了小芯片(Chiplet)在實現特定領域解決方案上的重要性。

展望未來,劉德音表示,3D 芯片堆疊會是重點,而透過臺積電的SoIC(system on IC)、低溫鍵合(bonding)制程,可實現3D 芯片堆疊。
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